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IRF4905S/L
7000
V GS
= 0 V, f = 1M H z
20
I D = -3 8A
C is s
= C gs +C gd , C ds SH O RTE D
6000
C rs s
C o ss
= C gd
= C ds + C g d
16
V DS = - 44V
V DS = - 28V
5000
C is s
4000
3000
C o ss
12
8
2000
C rs s
4
1000
FOR TE ST C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
40
80
SE E FIG U R E 1 3
120 160
A
200
1000
100
-V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 17 5°C
1000
100
Q G , Total G ate C harge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
100μ s
T J = 25 °C
1m s
10
10
T C = 2 5°C
10m s
V G S = 0 V
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
1
1
T J = 1 75°C
Sin gle Pu lse
10
100
A
-V S D , S ource-to-Drain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , Drain-to-Source V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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